本次訪問日本東京工業大學主要任務包含兩大方面，其ㄧ為針對雙方過去在研究主題合作進程中的結果分享與方向檢討;其二則為針對現行雙邊雙聯學位執行細節進行討論。近年來由於傳統矽基板元件在特性改善發展上漸漸遇到瓶頸，使得擁有高電子遷移率以及高能間隙特性的三五族複合物材料備受期待;但由於三五族複合物並沒有原生氧化物的存在，因此，如何製作出良好之氧化物與半導體界面以及得到高介電係數之氧化層便成為當前三五族元件之研究開發最熱門的課題之一，而此高品質之氧化層在元件電氣特性上將扮演十分重要之角色。有鑑於此，本研究團隊與Iwai/Kakushima實驗室研究團隊具體合作之計畫之一為開發應用於金氧半氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN MOSHEMT)之新型高介電係數材料，此行主要針對元件量測結果進行確認。於雙邊雙聯學位執行細節上，雙方針對目前執行狀況檢討後建議未來修正方向，會議中達成之共識將由雙邊回各自系所進一步討論確認。