非揮發性記憶體技術研討會（Non-Volatile Memory Technology Symposium）是全球記憶體設計與技術的重要論壇，以加速產品上市的時間，其中需應用到許多科學領域的技術，由設計/設備/製程技術幾大類著手，使縮短產品研發時間。而此次第十五屆非揮發性記憶體技術研討會(NVMTS)是在大陸北京的清華大學（Tsinghua University）舉行，會議日期從2015年10月12日至10月14日止，此次研討會是由北京清華大學、電機電子工程師學會（Institute of Electrical and Electronics Engineers，IEEE）與電子設備學會（Electron Devices Society，EDS）共同舉辦。本屆會議主題包含快閃記憶體（Flash）、磁電阻式記憶體（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、相變隨機存取記憶體（Phase Change Memory，PCRAM）、鐵電隨機存取記憶體（Ferro Electric Random Access Memory，FeRAM）等技術探討與研究。此次會議主要任務是希望結合全球專業領域人士，共同關注於新式代記憶體技術，一起改善現今記憶體技術所面臨的難題，並針對相關技術進行交流討論。