國立暨南國際大學
出席2013國際電磁相容研討會與論文發表
基本資料
系統識別號: |
C10204171 |
相關專案: |
無 |
計畫名稱: |
2013國際電磁相容研討會# |
報告名稱: |
出席2013國際電磁相容研討會與論文發表 |
電子全文檔: |
C10204171_44470.pdf
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附件檔: |
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報告日期: |
102/12/24 |
報告書頁數: |
5 |
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關: |
國立暨南國際大學
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出國期間: |
102/08/03 至 102/08/10 |
姓名 |
服務機關 |
服務單位 |
職稱 |
官職等 |
王建今 |
國立暨南國際大學 |
電機工程系所 |
博士生 |
其他 |
報告內容摘要
感謝學校補助與支持,學生本次得以出席2013國際電磁相容研討會,今年會議地點位於在美國丹佛,本研討會之會期自民國一百零二年八月五日至九日止共五天。會議議程主要分為短期課程講授、口頭論文及海報論文發表等三大部分,本項會議是由國際電機電子電磁相容學會所主辦,於科羅拉多會展中心舉行。這是學生第一次參加國際電磁相容研討會,在此次會議中,學生從中學到了許多寶貴的經驗,更了解到英文的重要性。經過主辦單位統計本次會議投稿的論文共有162篇,其中包括口頭論文發表與海報論文發表。藉由參加本次國際學術研討會,對於學生於專業領域以及國際視野有莫大的收穫,更重要的是能直接接觸到來自世界各地的專家學者,並且透過他們一同思考、討論,使學生在這短短的幾天中激發出許多新的設計想法,希望以後能夠繼續參與各重要之國際學術研討會,最後學生感謝學校補助使學生得以出席今年的國際電磁相容研討會。
其他資料
前往地區: |
美國; |
參訪機關: |
2013國際電磁相容研討會 |
出國類別: |
其他 |
關鍵詞: |
電磁相容(EMC), 國際電機電子工程師學會(IEEE), 互補性氧化金屬半導體(CMOS) |
備註: |
102年11月11日暨校研字第1020012473號核定函 |
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