本次獲得經濟部國際合作處補助，赴法國土魯斯國立應用科學學院短期研習，主要在瞭解目前相當熱門的3D IC製作技術於訊號完整性、電源完整性及電磁相容領域可能引發的衝擊，而有機會預作準備。 本次的行程共有8天，課程內容包含了3D IC技術簡介、晶片IBIS模型簡介、微控制器加記憶體及電路板微帶線之電路模型、MOS的I-V曲線、TSV的電路模型、根據IEC 61967-4 1Ω法於實驗室做量測、根據IEC 62132-4 DPI法於實驗室做量測、2D IC 的限制、3D IC 的優勢、3D IC 技術、3D IC 電磁相容的挑戰、3D IC 訊號完整性、3D IC 電源分佈網路及電源完整性、3D IC 的量測方法及3D IC EMC 案例研習等，內容相當充實。 本次行程有下列幾項比較重要的心得：1. 2D IC因為連接線路的延遲、功率損耗、功能產出以及可靠度的問題而限制了未來的發展。2. 3D IC加速訊號的傳遞、消耗更低的功率、能提供更強的功能，可以在未來Tera-Hz等級的運算扮演角色。3. 訊號完整性的問題與TSV的技術有很大的關聯。4. 目前大部分的研究都集中在訊號完整性及電源完整性。5. 3D IC EMC目前仍在起步階段，仍有相當大的研究發展創新空間。藉由本次資料蒐集可以為未來有關3D IC EMC相關國家標準的製定以及檢測方法的建立預作準備。