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出國報告資料

研習HVPE製作GaN基板技術

瀏覽人次: 1900

a【基本資料】

系統識別號: C09007236
相關專案:
計畫名稱: 研習HVPE製作GaN基板技術#
報告名稱: 研習HVPE製作GaN基板技術
電子全文檔: pdf C09007236_3490.pdf
附件檔: 瀏覽掃描影像檔.hyb 總共 14
報告日期: 91/01/18
報告書頁數: 13

b【計畫主辦機關資訊】

計畫主辦機關: 經濟部 http://www.moea.gov.tw/Mns/populace/home/Home.aspx
出國人員: 出國人員名單
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
許榮宗 經濟部 工研院光電所 經理 其他
出國期間: 90/10/07 至 90/11/08

c【其他資料】

前往地區: 德國;
參訪機關:
出國類別: 實習
關鍵詞: GaN,HVPE,氮化鎵,氣相磊晶成長法
備註:

d【分類瀏覽】

主題分類: 公共工程
施政分類: 工程管理

e【報告內容摘要】

本次研習主要於烏爾姆大學了解Aixtron公司所生產的單片式HVPE系統生長GaN厚膜之研究情形,目前其GaN生長速度可達70um/h,且因為試片可旋轉,膜厚均勻度良好,未來用於GaN基板之可行性頗高。然而,烏爾姆大學所擁有之GaN生長技術離生產可用之技術仍遠,一旦GaN厚度超過20um後,內部容易產生裂痕,目前仍無法消除之。雖然他們開始開發ZnO buffer layer技術,但是還屬於初步階段,未來還值得觀察。由於Aixtron於VPE相關之量產型機器有豐富的經驗,未來有關GaN基板等相關計畫若能與他們合作必然有加速之效果。