本次研習主要於烏爾姆大學了解Aixtron公司所生產的單片式HVPE系統生長GaN厚膜之研究情形，目前其GaN生長速度可達70um/h，且因為試片可旋轉，膜厚均勻度良好，未來用於GaN基板之可行性頗高。然而，烏爾姆大學所擁有之GaN生長技術離生產可用之技術仍遠，一旦GaN厚度超過20um後，內部容易產生裂痕，目前仍無法消除之。雖然他們開始開發ZnO buffer layer技術，但是還屬於初步階段，未來還值得觀察。由於Aixtron於VPE相關之量產型機器有豐富的經驗，未來有關GaN基板等相關計畫若能與他們合作必然有加速之效果。