本次出國主要參加在日本北海道札幌市舉辦的環球學術集群北海道國際冬季會議 (Universal Academic Cluster International Winter Conference in Hokkaido)，並發表論文：具有及無摻雜通道之鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體的比較(Comparison of AlGaN/GaN high electron mobility transistors with and without doping-channel layers)。此會議是在日本北海道舉辦的國際專業研討會，本人所發表論文主要探討奈米半導體元件之技術，參與人員皆來自各方菁英。與會期間除了論文展示時間在場解說外，也積極到各場次聆聽演講、交流資訊，此對於本實驗室對外發展與未來研究具正面意義。