本次研習主要學習無線通信電磁相容模型建立技術，蒐集最新電磁相容模型標準與提案等資料，與推動高頻量測技術國際標準合作討論，同時了解最新的量測技術與發展，以利國內電磁相容技術與國際同步接軌。 課程中首先介紹電子科技與電磁相容模型的發展趨勢，並歸納出發展藍圖，預計在2020年前後之電磁相容模型技術將會發展完成，相關之國際標準也會出版。本次學習之電磁相容模型標準分為三部分：傳導放射模型、輻射放射模型以及傳導耐受模型。以應用於第四代行動通信系統之微處理器為範例，介紹由製程參數或量測方法，來建立由內部擾動源及被動分佈網路所構成的傳導放射模型；以應用於第三代行動通信系統中之功率放大器為例，介紹由傳導放射模型搭配近場掃描量測方式，建立電偶極為基本元素之輻射放射模型；以電子系統常用之穩壓元件為例，使用直接功率注入法測試元件之失效行為，由外部量測與晶片電路分析比較來建立傳導耐受模型，並使用非線性技巧描述元件失效之行為。 課程也舉出晶片上量測技術，可以量測晶片內部的真實電壓數據，以輔助電磁耐受性量測與模型建立。同時也探討文獻中關於傳導量測與遠場輻射之關聯性。最後，就推動高頻直接功率注入法量測技術標準議題，進行充分討論，可為未來本局參與國際標準提案與制定作參考。