此次出國研習主要目的旨在深入瞭解 (1) IGBT高壓脈衝調制器內部設計與操作條件，掌握擴充功能與控制參數之關鍵技術。(2) RF脈衝高密度電漿源設計結構 (3)輝光放電光譜儀在低熔點非導體薄膜鍍層之定量分析應用。研習地點和時間為美國新墨西哥州North Star公司 ( 94/9/30 ) 和美國密西根州LECO公司 ( 94/10/3–94/10/7 )。 針對本實驗室PIII製程使用之IGBT高壓脈衝調制器的縮短上升 ( Rise time )、下降時間 ( Fall time )，最大超越量 ( Percent maximum overshoot ) 及內部保護線路等控制參數之關鍵技術，與工程師研習討論並於現場實際參與測試，充分了解各電路精髓，有助於後續之維護與調試。同時也一併討論RF脈衝高密度電漿源系統設計結構。對於North Star公司開放諸多線上設計製作，能於實驗室親身學習，獲益良多。 輝光放電光譜儀在分析低熔點非導體時，因電極高溫易造成樣品熔解，困難度甚高，LECO應用專家特別針對此项的薄膜鍍層分析，做完整指導說明，並同時提供設備，做實務操作，對於往後樣品分析能力的建立，助益甚大。 為提升本實驗室PIII研究及GDS分析能力，建議邀請國內知名教授學者，舉辦短期的高頻電路設計、實務與高壓脈衝電路相關訓練課程；並與台灣現使用LECO的 GDS儀器之學術研究單位，建立合作管道，彼此交換心得。