因通訊市場的景氣觸底反彈，今年的IPRM顯得較為熱鬧。多數與會者對於今年的景氣抱持著樂觀的看法，期待今年有較好的表現。今年約有450人與會，相對於去年在鹿耳島250人，以及前年在聖塔巴巴拉的400人。這次有65篇論文來自亞洲，其中47篇來自日本，5篇來自台灣(中央,中山,成大與台大與本所) ，值得注意的是南韓也有11篇。69篇來自歐洲，其中11篇來自地主蘇格蘭。美國則有40篇，加拿大4篇。就技術面來說，InP 系列的磊晶材料技術已趨成熟，此次會議有非常多的論文都在探討商業上的應用與商業化的方向，我們可從plenary session 的幾個重要的topic說明：Opportunities and Challenges for Indium Phosphide and Related Materials: The International Technology Roadmap for Semiconductors Perspective 是由美國國家標準實驗室(NIST) ，Dr. Herbert Bennett 說明其在訂定InP產品規格時所遭遇的問題，特別是科技日新月異今日制定的規格可能就因為大環境的轉向而徒勞無功。Pictures of the Future - Innovation and Technology Planning ，西門子公司Dr. Dietmar Theis 說明像西門子這種超大公司在化合物半導體部分所扮演的角色特別其提出 “ The most important innovation strategies and their positioning along the technology lifecycle” 說明其公司最希望做為一個trendsetter 因為 “If you are in control of wormholes and mousetraps you get both – the worms and the cheese” 。另外與本室相關研究最重要的兩篇論文為 “Growth of InGaAs/InP and Resulting Imaging Applications” ，由Sensor unlimited (USA) Prof. (U of Princeton) Greg Olsen, 與Marshall Cohen發表，說明其公司在InGaAs/InP sensor array 的產品，特別是Imaging and high-speed detection are two different classes of applications， 值得我們注意。另外 “10Gbit/s InGaAlAs uncooled directly modulated MQW-DFB lasers” 說明現在因OC-192 SONET應用， OPNEXT JAPAN, Inc. ，使用InGaAlAs QW 與notch-free grating structure 已可使元件在85 oC 仍有超高水準的表現( resonace frequency up to 20G, high mask margin to 12G)值得我們借鏡。