第十四屆國際磷化銦與相關材料會議是在瑞典國斯德哥爾摩市舉行，此次參加會議主要是本人有一篇論文發表，以及聆聽此領域之重要研究成果與未來之趨勢探討。在開場的全體出席會議中，邀請到日本東京大學的Sasaki教授談論有關奈米量子結構的發展與現況、D. C. Streit 博士說明在Velocium公司最近發展出超過200 G Hz HEMT與HBT的應用以及Alcatel的Marco Erman博士說明磷化銦基板材料在未來光網路上的應用。這些演講均指出磷化銦相關材料在未來高速網路(有線、無線)中扮演關鍵性角色，並已有很多元件應用在現實生活中。 會中區分很多議題，包含Lasers ( VCSEL, long wave- length laser), HBTs, HEMTs, quantum dot physics and devices, Novel materials, Naro-fabrication, InGaAsN and related components, processing and package等等議題，內容非常的精采，幾乎包含這些領域最頂尖的科學成果。在會中本人以Improved performance of InGaAsN/GaAs lasers with low temperature grown quantum well by MOCVD 為題，以壁報形式發表，因現在這個題目非常熱門，我們又是會中唯一以MOCVD成長出雷射元件的研究單位，所以非常多人來詢問成長條件與操作機制。大會並有安排市區觀光與諾貝爾獎頒獎會場的歡迎茶會。此次非常感謝公司能給我這個機會參加IPRM’02 下次希望有更突出的成果可以參加IPRM’03。