國立交通大學
2013日本東京工業大學出國短期研究報告
基本資料
系統識別號: |
C10203789 |
相關專案: |
無 |
計畫名稱: |
2013日本東京工業大學出國短期研究報告# |
報告名稱: |
2013日本東京工業大學出國短期研究報告 |
電子全文檔: |
C10203789_44165.pdf
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附件檔: |
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報告日期: |
102/09/16 |
報告書頁數: |
4 |
計畫主辦機關資訊
姓名 |
服務機關 |
服務單位 |
職稱 |
官職等 |
林岳欽 |
國立交通大學 |
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博士後研究員 |
其他 |
報告內容摘要
三五族電晶體比傳統矽基板金氧半電晶體具更高的電子遷移率、轉移電導係數、電流密度、操作頻率以及較低的功率消耗,因此,近年來許多人開始致力在發展三五族電晶體的技術來取代傳統矽基材元件;由於交通大學張翼實驗室在三五族元件方面之研究卓越,而日本東京工業大學之岩井實驗室(TIT Iwai’s Lab.)在高介電值氧化層方面享譽國際,因此,此次至日本東京工業大學岩井實驗室,主要目的為與日本東京工業大學合作,結合三五材料與高介電值氧化層,共同研發新世代三五族金氧半導體元件。
其他資料
前往地區: |
日本; |
參訪機關: |
東京工業大學 |
出國類別: |
研究 |
關鍵詞: |
三五族電晶體 |
備註: |
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