矽基板之互補式金氧半電晶體(MOSFETs)的元件閘極尺寸，遵循摩爾定律預估在10 奈米將達到最小物理極限，無法利用降低閘極線寬來提升元件特性；但由於砷化銦鎵擁有比傳統矽基板金氧半電晶體具更高的電子遷移率、轉移電導係數、電流密度、操作頻率以及較低的功率消耗，因此許多人開始致力在發展三五族電晶體的技術來取代傳統矽基材元件；此次參訪日本東京工業大學岩井實驗室，主要目的為與日本合作，共同研發新世代三五族金氧半導體元件；由於交通大學張翼實驗室在三五族元件方面之研究卓越，而日本東京工業大學之岩井實驗室(TIT Iwai’s Lab)在高介電值氧化層方面享譽國際，因此，台日雙方之合作，並結合三五材料與高介電值氧化層，必能有助於新世代三五族金氧半導體元件之開發。