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國家科學及技術委員會

隨「次世代化合物半導體前瞻研發專案」赴日本考察化合物半導體技術暨產業發展

基本資料

系統識別號: C11100979
相關專案:
計畫名稱: 隨「次世代化合物半導體前瞻研發專案」赴日本考察化合物半導體技術暨產業發展#
報告名稱: 隨「次世代化合物半導體前瞻研發專案」赴日本考察化合物半導體技術暨產業發展
電子全文檔: C11100979_1.pdf
附件檔:
報告日期: 112/03/23
報告書頁數: 24

計畫主辦機關資訊

計畫主辦機關: 國家科學及技術委員會
出國期間: 112/01/09 至 112/01/14
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
黃士育 國家科學及技術委員會 工程處 副研究員 薦任

報告內容摘要

本次參訪由國內化合物半導體相關領域之9位教授/專家及國科會工程處黃士育副研究員所組成,由國科會「次世代化合物半導體前瞻研發專案計畫」召集人徐碩鴻教授率隊,並召集6位整合型計畫總主持人、專案執行長及規劃委員共同參與。本次參訪日本7間化合物半導體頂尖機構與大學,包含東京- NTT Advanced Technology Corporation、東京- DISCO Corporation、名古屋-名古屋大學、名古屋-AIST Chubu and AIST GaN-OIL、京都-羅姆半導體集團- ROHM Semiconductor 、京都-京瓷株式会社及大阪-大阪大學。 本次參訪與上述大學與單位之化合物半導體研發及策略規劃管理階層相關人員會面,亦參訪上述機構之頂尖實驗室,探討下列主題:(1)與機構負責人交流,了解化合物半導體領域現在及未來發展趨勢;(2)瞭解日本政府對化合物半導體推動政策及具體作法;(3)瞭解日本學界推動產學合作之模式與作法;(4)瞭解各校及業界前瞻之研究構想與進展、研究目標及經費規劃;(5)討論在化合物半導體領域,台日之間的合作機制及互動模式,以及國科會、學界等所扮演之角色,以作為專案計畫未來先進實驗室及設備規劃之參考。

其他資料

前往地區: 日本;
參訪機關: 東京- NTT Advanced Technology Corporation,東京- DISCO Corporation,名古屋-名古屋大學,名古屋-AIST Chubu and AIST GaN-OIL,京都-羅姆半導體集團- ROHM Semiconductor,京都-京瓷株式会社,大阪-大阪大學
出國類別: 訪問
關鍵詞: 次世代化合物半導體,化合物半導體推動政策,產學合作模式與作法
備註:

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主題分類: 科學技術
施政分類: 研究發展
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