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國立暨南國際大學

第七屆半導體界面控制國際研討會議

基本資料

系統識別號: C10500952
相關專案:
計畫名稱: 第七屆半導體界面控制國際研討會議#
報告名稱: 第七屆半導體界面控制國際研討會議
電子全文檔: C10500952_1.pdf
附件檔:
報告日期: 105/08/30
報告書頁數: 8

計畫主辦機關資訊

計畫主辦機關: 國立暨南國際大學
出國期間: 105/06/05 至 105/06/10
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
蔡智傑 國立暨南國際大學 電機工程學系 博士生 其他

報告內容摘要

半導體界面控制國際研討會議(7th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces)是半導體界面控制技術的重要論壇之一,以加速產品上市的時間,其中需應用到許多科學領域的技術,由設計/設備/製程技術幾大類著手,使縮短產品研發時間。而此次第七屆半導體界面控制國際研討會議(ISCSI-VII)是在日本名古屋的名古屋大學(Nagoya University)舉行,會議日期從2016年06月07日至06月11日止,此次研討會是由名古屋大學、日本學術振興會(Japan Society for the Promotion of Science,JSPS)共同舉辦。本屆會議主題包含新穎半導體材料、半導體材料晶格生長、半導體材料特性與應用等技術探討與研究。會議中對於矽鍺(Silicon Germanium,SiGe)、鍺錫(Germanium Stannum,GeSn)、氮化鎵(Gallium nitride,GaN)、高介電係數介電材料(High-k dielectric)、石墨烯(Graphene)、碳化矽(Silicon Carbide,SiC)等新穎之半導體材料有詳盡的討論。此次會議主要任務是希望結合全球專業領域人士,共同關注於新穎的半導體界面控制技術,一起改善現今半導體材料技術所面臨的難題,並針對相關技術進行交流討論。

其他資料

前往地區: 日本;
參訪機關: 日本名古屋大學
出國類別: 其他
關鍵詞: 矽鍺、氮化鎵、高介電材料、碳化矽、石墨烯
備註: 日本名古屋大學

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主題分類: 科學技術
施政分類: 培育、延攬與獎勵科技人才
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