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國立中興大學

第11屆國際濺鍍與電漿製程研討會

基本資料

系統識別號: C10004643
相關專案:
計畫名稱: 第11屆國際濺鍍與電漿製程研討會#
報告名稱: 第11屆國際濺鍍與電漿製程研討會
電子全文檔: C10004643_36227.pdf
附件檔:
報告日期: 100/10/17
報告書頁數: 7

計畫主辦機關資訊

計畫主辦機關: 國立中興大學 http://www.nchu.edu.tw
出國期間: 100/07/04 至 100/07/08
姓名 服務機關 服務單位 職稱 官職等
陳村松 國立中興大學 材料科學與工程學系 博士班研究生 其他

報告內容摘要

2011年第11屆國際濺鍍與電漿製程研討會(The 11th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, ISSP2011),研討會主題目的在於探討「濺鍍技術與電漿反應過程」,範圍包含:Fundamentals of Sputtering and Plasma Processes(濺鍍與電漿製程基礎原理)、Sputtering Processes(濺鍍製程)、Plasma Processes(電漿製程)、Plasma Induced Process Technologies(電漿誘導技術)、Thin Films(薄膜)、Micro and Nano Technologies(微奈米技術)、Applications(應用)、Others(其他)八大類別。大會核心主題尤其著重於「反應式濺鍍」,主要探討提高成長薄膜沉積速率和反應濺射過程中的穩定性。 國際濺鍍與電漿製程研討會(ISSP)始於1991年,此後研討會每兩年舉行一次,且已日漸成為重要的國際薄膜會議,參與此會議的學者、學生除了來自日本以外,大多來自台灣、韓國、美國及歐洲,因此,此國際會議的規模及影響力已不容小覷。

其他資料

前往地區: 日本;
參訪機關: 日本京都市-京都研究園區
出國類別: 其他
關鍵詞: 第11屆國際濺鍍與電漿製程研討會
備註:

分類瀏覽

主題分類: 其他
施政分類: 其他
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