2011年第11屆國際濺鍍與電漿製程研討會（The 11th International Symposium on Sputtering & Plasma Processes, ISSP2011），研討會主題目的在於探討｢濺鍍技術與電漿反應過程｣，範圍包含：Fundamentals of Sputtering and Plasma Processes（濺鍍與電漿製程基礎原理）、Sputtering Processes（濺鍍製程）、Plasma Processes（電漿製程）、Plasma Induced Process Technologies（電漿誘導技術）、Thin Films（薄膜）、Micro and Nano Technologies（微奈米技術）、Applications（應用）、Others（其他）八大類別。大會核心主題尤其著重於｢反應式濺鍍｣，主要探討提高成長薄膜沉積速率和反應濺射過程中的穩定性。 國際濺鍍與電漿製程研討會（ISSP）始於1991年，此後研討會每兩年舉行一次，且已日漸成為重要的國際薄膜會議，參與此會議的學者、學生除了來自日本以外，大多來自台灣、韓國、美國及歐洲，因此，此國際會議的規模及影響力已不容小覷。