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中華電信股份有限公司電信研究所
參加 IPRM 2003 研討會
基本資料
系統識別號: |
C09202710 |
相關專案: |
無 |
計畫名稱: |
參加 IPRM 2003 研討會# |
報告名稱: |
參加 IPRM 2003 研討會 |
電子全文檔: |
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附件檔: |
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報告日期: |
92/06/18 |
報告書頁數: |
0 |
計畫主辦機關資訊
計畫主辦機關: |
中華電信股份有限公司電信研究所
http://
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出國期間: |
92/05/12 至 92/05/18 |
姓名 |
服務機關 |
服務單位 |
職稱 |
官職等 |
葉念慈 |
中華電信股份有限公司電信研究所 |
前瞻技術研究室 |
助理研究員 |
其他 |
報告內容摘要
因通訊市場的景氣持續低迷,今年的IPRM顯得相當冷清。多數與會者對於今年的景氣抱持著悲觀的看法,期待來年有較好的表現。今年約有250人與會,相對於去年在斯得哥爾摩超過400人,以及前年在奈良的600人,規模似乎正在持續遞減中。這次有61篇論文來自亞洲,其中46篇來自日本,2篇來自台灣(台大與本所)。50篇來自歐洲,其中14篇來自法國。美國則有40篇,加拿大和以色列各1篇。就技術面來說,還是朝著更高頻方面發展,基本上,這是InP系列研究的利基。有好些論文是有關InP/GaAsSb/InP雙HBT結構。同時也有傳統GaInP/GaAs結構的研究。比較特別的是,有篇法國的論文談到了利用相同的長晶條件來成長磷化物和砷化物,以利成長時的切換。在雷射方面,1.3微米和1.55微米都有相當不錯的進展。Infineon的Henning Reichert在大會報告了他們量產GaInNAs量子井雷射的工作。當然,其他有關GaInNAs的論文是少不了的。在GaInNAsSb方面,雖然談不上什麼重大進步,倒是有一篇非常有趣出自史丹佛Jim Harris等人的文章。極少量的Sb被加入了成長InGaNAs過程,這些Sb在表面上會發生媒介的效用,進而改善GalnNAs的磊晶品質,這對於1.55微米雷射有相當的助益。Harris等人同時也研究了GaInNAs的原子排列,並宣稱他們在這方面的研究有相當大的進展。
其他資料
前往地區: |
美國; |
參訪機關: |
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出國類別: |
其他 |
關鍵詞: |
IPRM |
備註: |
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