本次國際會議為2015 ISSP，於京都舉辦，本次會議是透過各國濺鍍技術交流為主，並透過掌握最新的濺鍍技術資訊可用於元件製備流程，達到薄膜最佳化之目的，透過來自不同國家之學長所提出的成果發表學習到如何控制濺鍍參數進行薄膜成長並同時應用於相關元件，達到薄膜最佳化與提升元件穩定度之目的，透過本次國際會議並與外國學者交流學習到如何將濺鍍技術應用於RRAM與TFT元件製備上同時學習到濺鍍技術之參數最佳化，薄膜成長特性取決於濺鍍時的功率、沉積時間、工作溫度與氣體流量，本次國際會議交流更能夠清楚掌握濺鍍薄膜沉積技術的關鍵要點，於往後的研究與製程上均是一大貢獻與進展。