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國立高雄師範大學
出席第七屆電漿奈米技術與科學國際會議及發表論文
基本資料
| 系統識別號： |
C10304737 |
| 相關專案： |
無 |
| 計畫名稱： |
日本名古屋# |
| 報告名稱： |
出席第七屆電漿奈米技術與科學國際會議及發表論文 |
| 電子全文檔： |
C10304737_49162.doc
|
| 附件檔： |
|
| 報告日期： |
103/12/26 |
| 報告書頁數： |
9 |
計畫主辦機關資訊
| 計畫主辦機關： |
國立高雄師範大學
|
| 出國期間： |
103/03/01 至 103/03/06 |
| 姓名 |
服務機關 |
服務單位 |
職稱 |
官職等 |
| 蔡榮輝 |
國立高雄師範大學 |
電子系 |
教授 |
其他 |
報告內容摘要
本次出國主要參加在日本名古屋市舉辦的第七屆電漿奈米技術與科學國際會議(The 7th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science)，並發表論文：Application of AlGaInP quaternary compound tunneling layer for high-performance heterostructure-emitter bipolar transistor。此會議是在日本中部舉辦的國際專業研討會，主要探討寬能隙與奈米材料元件之技術，參與人員皆來自各方菁英。與會期間除了論文展示時間在場解說外，也積極到各場次聆聽演講、交流資訊，此對於本實驗室對外發展與未來研究具正面意義。
其他資料
| 前往地區： |
日本; |
| 參訪機關： |
第七屆電漿奈米技術與科學國際會議(The 7th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science) |
| 出國類別： |
其他 |
| 關鍵詞： |
International Conference, Nano Technology, quaternary, bipolar transistor |
| 備註： |
|
分類瀏覽
| 主題分類： |
科學技術 |
| 施政分類： |
國外研究、考察及國際會議 |