因通訊市場的景氣持續低迷，今年的IPRM顯得相當冷清。多數與會者對於今年的景氣抱持著悲觀的看法，期待來年有較好的表現。今年約有250人與會，相對於去年在斯得哥爾摩超過400人，以及前年在奈良的600人，規模似乎正在持續遞減中。這次有61篇論文來自亞洲，其中46篇來自日本，2篇來自台灣(台大與本所)。50篇來自歐洲，其中14篇來自法國。美國則有40篇，加拿大和以色列各1篇。就技術面來說，還是朝著更高頻方面發展，基本上，這是InP系列研究的利基。有好些論文是有關InP/GaAsSb/InP雙HBT結構。同時也有傳統GaInP/GaAs結構的研究。比較特別的是，有篇法國的論文談到了利用相同的長晶條件來成長磷化物和砷化物，以利成長時的切換。在雷射方面，1.3微米和1.55微米都有相當不錯的進展。Infineon的Henning Reichert在大會報告了他們量產GaInNAs量子井雷射的工作。當然，其他有關GaInNAs的論文是少不了的。在GaInNAsSb方面，雖然談不上什麼重大進步，倒是有一篇非常有趣出自史丹佛Jim Harris等人的文章。極少量的Sb被加入了成長InGaNAs過程，這些Sb在表面上會發生媒介的效用，進而改善GalnNAs的磊晶品質，這對於1.55微米雷射有相當的助益。Harris等人同時也研究了GaInNAs的原子排列，並宣稱他們在這方面的研究有相當大的進展。